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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTB30N06LG
NTB30N06LG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTB30N06LG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTB30N06LG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTB30N06LG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
NTB,NTP30N06L.pdf
En stock: 3920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTB30N06LG
onsemi - NTB30N06LG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTB30N06LG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 15A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 88.2W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Ta)  
Numéro de produit de base NTB30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTB30N06LG

Attributs du produit NTB30N06LG NTB25P06T4G NTB23N03RT4G NTB30N06L
Modèle de produit NTB30N06LG NTB25P06T4G NTB23N03RT4G NTB30N06L
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 25 V 1680 pF @ 25 V 225 pF @ 20 V 1150 pF @ 25 V
Séries - - - -
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 25 V 60 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V 10V 4.5V, 10V 5V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipation de puissance (max) 88.2W (Tc) 120W (Tj) 37.5W (Tj) 88.2W (Tc)
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Ta) 27.5A (Ta) 23A (Ta) 30A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V 50 nC @ 10 V 3.76 nC @ 4.5 V 32 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±15V ±15V ±20V ±15V
Package composant fournisseur D²PAK D²PAK D²PAK D²PAK
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base NTB30 NTB25 NTB23 NTB30
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 15A, 5V 82mOhm @ 25A, 10V 45mOhm @ 6A, 10V 46mOhm @ 15A, 5V

Fiche technique NTB30N06LG PDF

Téléchargez NTB30N06LG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTB30N06LG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 03/Apr/2007.pdf
Feuilles de données
NTB,NTP30N06L.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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