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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxQS8M51TR
QS8M51TR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

QS8M51TR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
QS8M51TR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-QS8M51TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
QS8M51TR.pdf
État RoHS
En stock: 76370

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques QS8M51TR
Rohm Semiconductor - QS8M51TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - QS8M51TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TSMT8  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 325mOhm @ 2A, 10V  
Puissance - Max 1.5W  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 100V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A, 1.5A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base QS8M51  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor QS8M51TR

Attributs du produit QS8M51TR QS8J4TR QS8K11TCR QS8J12TCR
Modèle de produit QS8M51TR QS8J4TR QS8K11TCR QS8J12TCR
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate, 1.5V Drive
Numéro de produit de base QS8M51 QS8J4 QS8K11 QS8J12
Package composant fournisseur TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 5V 13nC @ 10V 3.3nC @ 5V 40nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V 800pF @ 10V 180pF @ 10V 4200pF @ 6V
Tension drain-source (Vdss) 100V 30V 30V 12V
Configuration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A, 1.5A 4A 3.5A 4.5A
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 325mOhm @ 2A, 10V 56mOhm @ 4A, 10V 50mOhm @ 3.5A, 10V 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Séries - - - -
Puissance - Max 1.5W 550mW 1.5W 550mW

Fiche technique QS8M51TR PDF

Téléchargez QS8M51TR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour QS8M51TR - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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