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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxQS8K13TCR
QS8K13TCR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

QS8K13TCR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
QS8K13TCR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-QS8K13TCR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
QS8K13TCR.pdf
État RoHS
En stock: 69530

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques QS8K13TCR
Rohm Semiconductor - QS8K13TCR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - QS8K13TCR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TSMT8  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V  
Puissance - Max 550mW  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base QS8K13  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor QS8K13TCR

Attributs du produit QS8K13TCR QS8K2TR QS8M13TCR QS8J2TR
Modèle de produit QS8K13TCR QS8K2TR QS8M13TCR QS8J2TR
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
Séries - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 10V 285pF @ 10V 390pF @ 10V 1940pF @ 6V
Package composant fournisseur TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 4.6nC @ 4.5V 5.5nC @ 5V 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V 54mOhm @ 3.5A, 4.5V 28mOhm @ 6A, 10V 36mOhm @ 4A, 4.5V
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.5V Drive
Numéro de produit de base QS8K13 QS8K2 QS8M13 QS8J2
Puissance - Max 550mW 1.25W 1.5W 550mW
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 12V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A 3.5A 6A, 5A 4A

Fiche technique QS8K13TCR PDF

Téléchargez QS8K13TCR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour QS8K13TCR - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf QS8K13 ESD Data.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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QS8K13TCR

Rohm Semiconductor
32D-QS8K13TCR

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