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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxQS8K11TCR
QS8K11TCR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

QS8K11TCR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
QS8K11TCR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-QS8K11TCR
Modèle ECAD
Description des pièces
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
QS8K11TCR.pdf
État RoHS
En stock: 119310

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques QS8K11TCR
Rohm Semiconductor - QS8K11TCR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - QS8K11TCR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
La technologie -  
Package composant fournisseur TSMT8  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.5A, 10V  
Puissance - Max 1.5W  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.3nC @ 5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base QS8K11  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor QS8K11TCR

Attributs du produit QS8K11TCR QS8J2TR QS8K2TR QS8J4TR
Modèle de produit QS8K11TCR QS8J2TR QS8K2TR QS8J4TR
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Puissance - Max 1.5W 550mW 1.25W 550mW
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.5A, 10V 36mOhm @ 4A, 4.5V 54mOhm @ 3.5A, 4.5V 56mOhm @ 4A, 10V
Package composant fournisseur TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Numéro de produit de base QS8K11 QS8J2 QS8K2 QS8J4
Tension drain-source (Vdss) 30V 12V 30V 30V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA 1.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.3nC @ 5V 20nC @ 4.5V 4.6nC @ 4.5V 13nC @ 10V
Fonction FET - Logic Level Gate, 1.5V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate
La technologie - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V 1940pF @ 6V 285pF @ 10V 800pF @ 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A 4A 3.5A 4A
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)

Fiche technique QS8K11TCR PDF

Téléchargez QS8K11TCR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour QS8K11TCR - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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