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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxFDS6912A
FDS6912A Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDS6912A - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDS6912A
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDS6912A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
FDS6912A.pdf
État RoHS
En stock: 108230

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDS6912A
onsemi - FDS6912A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDS6912A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V  
Puissance - Max 900mW  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base FDS69  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDS6912A

Attributs du produit FDS6912A FDS6912 FDS6930A FDS6912
Modèle de produit FDS6912A FDS6912 FDS6930A FDS6912
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 15V 740pF @ 15V 460pF @ 15V 740pF @ 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Puissance - Max 900mW 2W (Ta) 900mW 900mW
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A 6A (Ta) 5.5A 6A
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V 28mOhm @ 6A, 10V 40mOhm @ 5.5A, 10V 28mOhm @ 6A, 10V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 5V 10nC @ 5V 7nC @ 5V 10nC @ 5V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Numéro de produit de base FDS69 FDS69 FDS6930 FDS69
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique FDS6912A PDF

Téléchargez FDS6912A PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDS6912A - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
FDSYYY 18/Jun/2018.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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