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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTU2N80P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTU2N80P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTU2N80P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTU2N80P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 2A TO251
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IXT(A,P,U,Y)2N80P.pdf
En stock: 4500

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTU2N80P
IXYS - IXTU2N80P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTU2N80P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251AA  
Séries PolarHV™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTU2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTU2N80P

Attributs du produit IXTU2N80P IXTT110N10L2 IXTX4N300P3HV IXTU01N100D
Modèle de produit IXTU2N80P IXTT110N10L2 IXTX4N300P3HV IXTU01N100D
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V 10500 pF @ 25 V 3680 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 50µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 25µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3 Variant TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 800 V 100 V 3000 V 1000 V
Package composant fournisseur TO-251AA TO-268AA TO-247PLUS-HV TO-251AA
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc) 600W (Tc) 960W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 1A, 10V 18mOhm @ 55A, 10V 12.5Ohm @ 2A, 10V 80Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.6 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 139 nC @ 10 V 5.8 nC @ 5 V
Séries PolarHV™ Linear L2™ Polar P3™ Depletion
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 0V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IXTU2 IXTT110 IXTX4 IXTU01
Fonction FET - - - Depletion Mode
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc) 110A (Tc) 4A (Tc) 400mA (Tc)

Fiche technique IXTU2N80P PDF

Téléchargez IXTU2N80P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTU2N80P - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mule Devices EOL 21/Mar/2018.pdf
Feuilles de données
IXT(A,P,U,Y)2N80P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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