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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTU05N100
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTU05N100 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTU05N100
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTU05N100
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO251
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IXT(U,Y)05N100.pdf
État RoHS
En stock: 4550

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTU05N100
IXYS - IXTU05N100 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTU05N100

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251AA  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17Ohm @ 375mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 750mA (Tc)  
Numéro de produit de base IXTU05  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTU05N100

Attributs du produit IXTU05N100 IXTT90P10P IXTV18N60PS IXTX46N50L
Modèle de produit IXTU05N100 IXTT90P10P IXTV18N60PS IXTX46N50L
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17Ohm @ 375mA, 10V 25mOhm @ 45A, 10V 420mOhm @ 9A, 10V 160mOhm @ 500mA, 20V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V 5800 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc) 462W (Tc) 360W (Tc) 700W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V 260 nC @ 15 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 750mA (Tc) 90A (Tc) 18A (Tc) 46A (Tc)
Package composant fournisseur TO-251AA TO-268AA PLUS-220SMD PLUS247™-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1000 V 100 V 600 V 500 V
Séries - PolarP™ PolarHV™ Linear
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 6V @ 250µA
Numéro de produit de base IXTU05 IXTT90 IXTV18 IXTX46
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 20V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA PLUS-220SMD TO-247-3 Variant
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IXTU05N100 PDF

Téléchargez IXTU05N100 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTU05N100 - IXYS.

Feuilles de données
IXT(U,Y)05N100.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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