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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTU12N06T
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTU12N06T - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTU12N06T
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTU12N06T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 12A TO251
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IXT(U,Y)12N06T.pdf
État RoHS
En stock: 5170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTU12N06T
IXYS - IXTU12N06T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTU12N06T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251AA  
Séries Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 33W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 256 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.4 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTU12  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTU12N06T

Attributs du produit IXTU12N06T IXTT110N10L2 IXTX120N65X2 IXTT02N450HV
Modèle de produit IXTU12N06T IXTT110N10L2 IXTX120N65X2 IXTT02N450HV
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.4 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 10.4 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 256 pF @ 25 V 10500 pF @ 25 V 13600 pF @ 25 V 256 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 110A (Tc) 120A (Tc) 200mA (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 6A, 10V 18mOhm @ 55A, 10V 24mOhm @ 60A, 10V 750Ohm @ 10mA, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 33W (Tc) 600W (Tc) 1250W (Tc) 113W (Tc)
Séries Trench Linear L2™ Ultra X2 -
Numéro de produit de base IXTU12 IXTT110 IXTX120 IXTT02
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3 Variant TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Package composant fournisseur TO-251AA TO-268AA PLUS247™-3 TO-268AA
Tension drain-source (Vdss) 60 V 100 V 650 V 4500 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 25µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 8mA 6.5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -

Fiche technique IXTU12N06T PDF

Téléchargez IXTU12N06T PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTU12N06T - IXYS.

Feuilles de données
IXT(U,Y)12N06T.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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