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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTQ182N055T
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IXTQ182N055T - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTQ182N055T
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTQ182N055T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 182A TO3P
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
IXT(H,Q)182N055T.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 4290

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Quantité
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Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IXTQ182N055T
IXYS - IXTQ182N055T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTQ182N055T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries TrenchMV™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4850 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 182A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTQ182  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTQ182N055T

Attributs du produit IXTQ182N055T IXTQ200N06P IXTQ130N15T IXTQ150N15P
Modèle de produit IXTQ182N055T IXTQ200N06P IXTQ130N15T IXTQ150N15P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 182A (Tc) 200A (Tc) 130A (Tc) 150A (Tc)
Fonction FET - - - -
Séries TrenchMV™ Polar Trench Polar
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V 5mOhm @ 400A, 15V 12mOhm @ 65A, 10V 13mOhm @ 500mA, 10V
Tension drain-source (Vdss) 55 V 60 V 150 V 150 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc) 714W (Tc) 750W (Tc) 714W (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 113 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 1mA 5V @ 250µA
Numéro de produit de base IXTQ182 IXTQ200 IXTQ130 IXTQ150
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4850 pF @ 25 V 5400 pF @ 25 V 9800 pF @ 25 V 5800 pF @ 25 V
Package composant fournisseur TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P

Fiche technique IXTQ182N055T PDF

Téléchargez IXTQ182N055T PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTQ182N055T - IXYS.

Conception / spécification PCN
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Feuilles de données
IXT(H,Q)182N055T.pdf
PCN Obsolescence / EOL
IXT Series 30/Oct/2012.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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