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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTQ26N50P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTQ26N50P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTQ26N50P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTQ26N50P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 26A TO3P
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
IXT(Q,T,V)26N50P/PS.pdf
État RoHS
En stock: 10431

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTQ26N50P
IXYS - IXTQ26N50P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTQ26N50P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 13A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 400W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTQ26  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTQ26N50P

Attributs du produit IXTQ26N50P IXTQ200N10T IXTQ36N50P IXTQ180N055T
Modèle de produit IXTQ26N50P IXTQ200N10T IXTQ36N50P IXTQ180N055T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V 85 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base IXTQ26 IXTQ200 IXTQ36 -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Séries Polar Trench Polar -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 5500 pF @ 25 V 5800 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 400W (Tc) 550W (Tc) 540W (Tc) -
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 1mA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Tc) 200A (Tc) 36A (Tc) 180A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 100 V 500 V 55 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 13A, 10V 5.5mOhm @ 50A, 10V 170mOhm @ 500mA, 10V 4mOhm @ 50A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IXTQ26N50P PDF

Téléchargez IXTQ26N50P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTQ26N50P - IXYS.

Conception / spécification PCN
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Feuilles de données
IXT(Q,T,V)26N50P/PS.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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