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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTQ150N06P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IXTQ150N06P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTQ150N06P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTQ150N06P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 150A TO3P
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
IXTQ150N06P.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 4800

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IXTQ150N06P
IXYS - IXTQ150N06P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTQ150N06P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 480W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 118 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 150A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTQ150  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTQ150N06P

Attributs du produit IXTQ150N06P IXTQ140N10P IXTQ102N20T IXTQ180N055T
Modèle de produit IXTQ150N06P IXTQ140N10P IXTQ102N20T IXTQ180N055T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 150A (Tc) 140A (Tc) 102A (Tc) 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 75A, 10V 11mOhm @ 70A, 10V 23mOhm @ 500mA, 10V 4mOhm @ 50A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V 4700 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V 5800 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 100 V 200 V 55 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 1mA 4V @ 1mA
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 480W (Tc) 600W (Tc) 750W (Tc) -
Numéro de produit de base IXTQ150 IXTQ140 IXTQ102 -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Package composant fournisseur TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
Séries Polar Polar Trench -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 118 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IXTQ150N06P PDF

Téléchargez IXTQ150N06P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTQ150N06P - IXYS.

Conception / spécification PCN
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Feuilles de données
IXTQ150N06P.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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