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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTN36N50
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTN36N50 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTN36N50
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTN36N50
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 36A SOT227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXTN36N50.pdf
État RoHS
En stock: 4240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTN36N50
IXYS - IXTN36N50 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTN36N50

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Dissipation de puissance (max) 400W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -  
Type de montage Chassis Mount  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTN36  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTN36N50

Attributs du produit IXTN36N50 IXTN200N10L2 IXTN21N100 IXTN30N100L
Modèle de produit IXTN36N50 IXTN200N10L2 IXTN21N100 IXTN30N100L
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 400W (Tc) 830W (Tc) 520W (Tc) 800W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 100 V 1000 V 1000 V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20mA 4.5V @ 3mA 4.5V @ 500µA 5.5V @ 250µA
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Emballer Tube Bulk Tube Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 11mOhm @ 100A, 10V 550mOhm @ 500mA, 10V 450mOhm @ 15A, 20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc) 178A (Tc) 21A (Tc) 30A (Tc)
Numéro de produit de base IXTN36 IXTN200 IXTN21 IXTN30
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Séries - Linear L2™ MegaMOS™ Linear
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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