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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTN17N120L
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTN17N120L - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTN17N120L
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTN17N120L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXTN17N120L.pdf
État RoHS
En stock: 567

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTN17N120L
IXYS - IXTN17N120L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTN17N120L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries Linear  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 8.5A, 20V  
Dissipation de puissance (max) 540W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 15 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTN17  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTN17N120L

Attributs du produit IXTN17N120L IXTK82N25P IXTN170P10P IXTN200N10L2
Modèle de produit IXTN17N120L IXTK82N25P IXTN170P10P IXTN200N10L2
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 250 V 100 V 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 15 V 142 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 540 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 8.5A, 20V 35mOhm @ 41A, 10V 12mOhm @ 500mA, 10V 11mOhm @ 100A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 1mA 4.5V @ 3mA
Séries Linear Polar Polar Linear L2™
Numéro de produit de base IXTN17 IXTK82 IXTN170 IXTN200
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur SOT-227B TO-264 (IXTK) SOT-227B SOT-227B
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8300 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V 12600 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc) 82A (Tc) 170A (Tc) 178A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V 10V 10V 10V
Type de montage Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 540W (Tc) 500W (Tc) 890W (Tc) 830W (Tc)

Fiche technique IXTN17N120L PDF

Téléchargez IXTN17N120L PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTN17N120L - IXYS.

Feuilles de données
IXTN17N120L.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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