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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTH13N80
IXTH13N80 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IXTH13N80 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTH13N80
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTH13N80
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 13A TO247
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXT(H,M)(11,13)N80.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 4370

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IXTH13N80
IXYS - IXTH13N80 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTH13N80

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH)  
Séries MegaMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTH13  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTH13N80

Attributs du produit IXTH13N80 IXTH150N17T IXTH130N15T IXTH14N80
Modèle de produit IXTH13N80 IXTH150N17T IXTH130N15T IXTH14N80
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Numéro de produit de base IXTH13 IXTH150 IXTH130 IXTH14
Tension drain-source (Vdss) 800 V 175 V 150 V 800 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries MegaMOS™ TrenchHV™ Trench MegaMOS™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc) 150A (Tc) 130A (Tc) 14A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 113 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 500mA, 10V 12mOhm @ 75A, 10V 12mOhm @ 65A, 10V 700mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 830W (Tc) 750W (Tc) 300W (Tc)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V 9800 pF @ 25 V 9800 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5V @ 1mA 4.5V @ 1mA 4.5V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)

Fiche technique IXTH13N80 PDF

Téléchargez IXTH13N80 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTH13N80 - IXYS.

Feuilles de données
IXT(H,M)(11,13)N80.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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