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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTH130N15T
IXTH130N15T Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IXTH130N15T - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTH130N15T
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTH130N15T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 130A TO247
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXT(H,Q)130N15T.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 4280

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IXTH130N15T
IXYS - IXTH130N15T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTH130N15T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH)  
Séries Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 65A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 750W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 113 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 130A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTH130  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTH130N15T

Attributs du produit IXTH130N15T IXTH14N100 IXTH150N17T IXTH130N10T
Modèle de produit IXTH130N15T IXTH14N100 IXTH150N17T IXTH130N10T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 65A, 10V 820mOhm @ 500mA, 10V 12mOhm @ 75A, 10V 9.1mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Séries Trench MegaMOS™ TrenchHV™ Trench
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9800 pF @ 25 V 5650 pF @ 25 V 9800 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 130A (Tc) 14A (Tc) 150A (Tc) 130A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base IXTH130 IXTH14 IXTH150 IXTH130
Dissipation de puissance (max) 750W (Tc) 360W (Tc) 830W (Tc) 360W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 113 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 104 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 150 V 1000 V 175 V 100 V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA 4.5V @ 250µA 5V @ 1mA 4.5V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique IXTH130N15T PDF

Téléchargez IXTH130N15T PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTH130N15T - IXYS.

Feuilles de données
IXT(H,Q)130N15T.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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