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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTH130N10T
IXTH130N10T Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTH130N10T - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTH130N10T
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTH130N10T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 130A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXT(H,Q)130N10T.pdf
État RoHS
En stock: 11770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTH130N10T
IXYS - IXTH130N10T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTH130N10T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH)  
Séries Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5080 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 104 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 130A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTH130  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTH130N10T

Attributs du produit IXTH130N10T IXTH140P05T IXTH12N65X2 IXTH12N120
Modèle de produit IXTH130N10T IXTH140P05T IXTH12N65X2 IXTH12N120
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Séries Trench TrenchP™ Ultra X2 -
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 130A (Tc) 140A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±15V ±30V ±30V
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc) 298W (Tc) 180W (Tc) 500W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Box
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 104 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 25A, 10V 9mOhm @ 70A, 10V 300mOhm @ 6A, 10V 1.4Ohm @ 6A, 10V
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base IXTH130 IXTH140 IXTH12 IXTH12
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 100 V 50 V 650 V 1200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5080 pF @ 25 V 13500 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 3400 pF @ 25 V

Fiche technique IXTH130N10T PDF

Téléchargez IXTH130N10T PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTH130N10T - IXYS.

Feuilles de données
IXT(H,Q)130N10T.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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