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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTF200N10T
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTF200N10T - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTF200N10T
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTF200N10T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 90A I4PAC
Description détaillée
Emballage
i4-Pac™-5
Fiche technique
IXTF200N10T.pdf
État RoHS
En stock: 4842

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTF200N10T
IXYS - IXTF200N10T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTF200N10T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOPLUS i4-PAC™  
Séries Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 156W (Tc)  
Package / Boîte i4-Pac™-5  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTF200  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTF200N10T

Attributs du produit IXTF200N10T IXTC13N50 IXTA96P085T IXTC75N10
Modèle de produit IXTF200N10T IXTC13N50 IXTA96P085T IXTC75N10
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V 13100 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Package / Boîte i4-Pac™-5 ISOPLUS220™ TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB ISOPLUS220™
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±20V ±15V ±20V
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 2.5mA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 156W (Tc) 140W (Tc) 298W (Tc) 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 50A, 10V 400mOhm @ 6.5A, 10V 13mOhm @ 48A, 10V 20mOhm @ 37.5A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 500 V 85 V 100 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur ISOPLUS i4-PAC™ ISOPLUS220™ TO-263AA ISOPLUS220™
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries Trench - TrenchP™ MegaMOS™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Tc) 12A (Tc) 96A (Tc) 72A (Tc)
Numéro de produit de base IXTF200 IXTC13 IXTA96 IXTC75

Fiche technique IXTF200N10T PDF

Téléchargez IXTF200N10T PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTF200N10T - IXYS.

Feuilles de données
IXTF200N10T.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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