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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTH110N25T
IXTH110N25T Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTH110N25T - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTH110N25T
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTH110N25T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 110A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXT(H,V)110N25T(S).pdf
État RoHS
En stock: 8073

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTH110N25T
IXYS - IXTH110N25T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTH110N25T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH)  
Séries Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 55A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 694W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 157 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 110A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTH110  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTH110N25T

Attributs du produit IXTH110N25T IXTH04N300P3HV IXTH110N10L2 IXTH10N100D2
Modèle de produit IXTH110N25T IXTH04N300P3HV IXTH110N10L2 IXTH10N100D2
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base IXTH110 IXTH04 IXTH110 IXTH10
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V 283 pF @ 25 V 10500 pF @ 25 V 5320 pF @ 25 V
Séries Trench Polar P3™ Linear L2™ Depletion
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 694W (Tc) 104W (Tc) 600W (Tc) 695W (Tc)
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH) TO-247HV TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 Variant TO-247-3 TO-247-3
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 110A (Tc) 400mA (Tc) 110A (Tc) 10A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 250 V 3000 V 100 V 1000 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 55A, 10V 190Ohm @ 200mA, 10V 18mOhm @ 500mA, 10V 1.5Ohm @ 5A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 157 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 200 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Fonction FET - - - Depletion Mode

Fiche technique IXTH110N25T PDF

Téléchargez IXTH110N25T PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTH110N25T - IXYS.

Feuilles de données
IXT(H,V)110N25T(S).pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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