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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTA1N200P3HV
IXTA1N200P3HV Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTA1N200P3HV - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTA1N200P3HV
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTA1N200P3HV
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IXTx1N200P3(HV).pdf
État RoHS
En stock: 6994

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTA1N200P3HV
IXYS - IXTA1N200P3HV Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTA1N200P3HV

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263AA  
Séries Polar P3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 646 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 23.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 2000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTA1  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTA1N200P3HV

Attributs du produit IXTA1N200P3HV IXTA170N075T2 IXTA1R4N120P IXTA16N50P
Modèle de produit IXTA1N200P3HV IXTA170N075T2 IXTA1R4N120P IXTA16N50P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Séries Polar P3™ TrenchT2™ Polar Polar
Tension drain-source (Vdss) 2000 V 75 V 1200 V 500 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A (Tc) 170A (Tc) 1.4A (Tc) 16A (Tc)
Numéro de produit de base IXTA1 IXTA170 IXTA1 IXTA16
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 646 pF @ 25 V 6860 pF @ 25 V 666 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 23.5 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V 24.8 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40Ohm @ 500mA, 10V 5.4mOhm @ 50A, 10V 13Ohm @ 500mA, 10V 400mOhm @ 8A, 10V
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc) 360W (Tc) 86W (Tc) 300W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA 5.5V @ 250µA

Fiche technique IXTA1N200P3HV PDF

Téléchargez IXTA1N200P3HV PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTA1N200P3HV - IXYS.

Feuilles de données
IXTx1N200P3(HV).pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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