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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTA26P20P
IXTA26P20P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTA26P20P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTA26P20P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTA26P20P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IX(T,H,P,Q)A26P20P.pdf
État RoHS
En stock: 11011

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTA26P20P
IXYS - IXTA26P20P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTA26P20P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263AA  
Séries Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 13A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2740 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTA26  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTA26P20P

Attributs du produit IXTA26P20P IXTA1N200P3HV IXTA36N30P IXTA2R4N120P
Modèle de produit IXTA26P20P IXTA1N200P3HV IXTA36N30P IXTA2R4N120P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Numéro de produit de base IXTA26 IXTA1 IXTA36 IXTA2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Tc) 1A (Tc) 36A (Tc) 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 13A, 10V 40Ohm @ 500mA, 10V 110mOhm @ 18A, 10V 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 200 V 2000 V 300 V 1200 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2740 pF @ 25 V 646 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V 1207 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 125W (Tc) 300W (Tc) 125W (Tc)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package composant fournisseur TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 23.5 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Séries Polar Polar P3™ PolarHT™ Polar
Emballer Tube Tube Tube Tube
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IXTA26P20P PDF

Téléchargez IXTA26P20P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTA26P20P - IXYS.

Feuilles de données
IX(T,H,P,Q)A26P20P.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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