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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTA180N10T
IXTA180N10T Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTA180N10T - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTA180N10T
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTA180N10T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IXT(A,P)180N10T.pdf
État RoHS
En stock: 14961

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTA180N10T
IXYS - IXTA180N10T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTA180N10T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263AA  
Séries Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 480W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 151 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTA180  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTA180N10T

Attributs du produit IXTA180N10T IXTA152N085T IXTA170N075T2 IXTA150N15X4
Modèle de produit IXTA180N10T IXTA152N085T IXTA170N075T2 IXTA150N15X4
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Numéro de produit de base IXTA180 IXTA152 IXTA170 IXTA150
Package composant fournisseur TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries Trench TrenchMV™ TrenchT2™ Ultra X4
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 480W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc) 480W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 100 V 85 V 75 V 150 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 151 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180A (Tc) 152A (Tc) 170A (Tc) 150A (Tc)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 25A, 10V 7mOhm @ 25A, 10V 5.4mOhm @ 50A, 10V 6.9mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 25 V 5500 pF @ 25 V 6860 pF @ 25 V 5500 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -

Fiche technique IXTA180N10T PDF

Téléchargez IXTA180N10T PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTA180N10T - IXYS.

Feuilles de données
IXT(A,P)180N10T.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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