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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTA10P50P
IXTA10P50P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTA10P50P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTA10P50P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTA10P50P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IXTx10P50P.pdf
État RoHS
En stock: 13028

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTA10P50P
IXYS - IXTA10P50P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTA10P50P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263AA  
Séries Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTA10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTA10P50P

Attributs du produit IXTA10P50P IXTA06N120P IXTA100N04T2 IXTA152N085T
Modèle de produit IXTA10P50P IXTA06N120P IXTA100N04T2 IXTA152N085T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V 2690 pF @ 25 V 5500 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V 32Ohm @ 300mA, 10V 7mOhm @ 25A, 10V 7mOhm @ 25A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 500 V 1200 V 40 V 85 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 42W (Tc) 150W (Tc) 360W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base IXTA10 IXTA06 IXTA100 IXTA152
Séries Polar Polar TrenchT2™ TrenchMV™
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 600mA (Tc) 100A (Tc) 152A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 13.3 nC @ 10 V 25.5 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique IXTA10P50P PDF

Téléchargez IXTA10P50P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTA10P50P - IXYS.

Feuilles de données
IXTx10P50P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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