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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTA05N100
IXTA05N100 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IXTA05N100 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTA05N100
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTA05N100
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IXT(A,P)05N100.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 7339

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IXTA05N100
IXYS - IXTA05N100 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTA05N100

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263AA  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17Ohm @ 375mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 750mA (Tc)  
Numéro de produit de base IXTA05  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTA05N100

Attributs du produit IXTA05N100 IXTA08N100D2 IXTA110N055T2 IXTA10P50P
Modèle de produit IXTA05N100 IXTA08N100D2 IXTA110N055T2 IXTA10P50P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17Ohm @ 375mA, 10V 21Ohm @ 400mA, 0V 6.6mOhm @ 25A, 10V 1Ohm @ 5A, 10V
Fonction FET - Depletion Mode - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA - 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc) 60W (Tc) 180W (Tc) 300W (Tc)
Séries - Depletion TrenchT2™ Polar
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 750mA (Tc) 800mA (Tc) 110A (Tc) 10A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V 325 pF @ 25 V 3060 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 10 V 14.6 nC @ 5 V 57 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Tension drain-source (Vdss) 1000 V 1000 V 55 V 500 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base IXTA05 IXTA08 IXTA110 IXTA10

Fiche technique IXTA05N100 PDF

Téléchargez IXTA05N100 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTA05N100 - IXYS.

Feuilles de données
IXT(A,P)05N100.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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