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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTA06N120P
IXTA06N120P Image
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IXTA06N120P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTA06N120P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTA06N120P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IXT(A,P)06N120P.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 16180

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IXTA06N120P
IXYS - IXTA06N120P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTA06N120P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263AA  
Séries Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32Ohm @ 300mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.3 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 600mA (Tc)  
Numéro de produit de base IXTA06  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTA06N120P

Attributs du produit IXTA06N120P IXTA110N055T2 IXTA100N04T2 IXTA08N100D2
Modèle de produit IXTA06N120P IXTA110N055T2 IXTA100N04T2 IXTA08N100D2
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 600mA (Tc) 110A (Tc) 100A (Tc) 800mA (Tc)
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc) 180W (Tc) 150W (Tc) 60W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base IXTA06 IXTA110 IXTA100 IXTA08
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 55 V 40 V 1000 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.3 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V 25.5 nC @ 10 V 14.6 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V 3060 pF @ 25 V 2690 pF @ 25 V 325 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - Depletion Mode
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32Ohm @ 300mA, 10V 6.6mOhm @ 25A, 10V 7mOhm @ 25A, 10V 21Ohm @ 400mA, 0V
Séries Polar TrenchT2™ TrenchT2™ Depletion

Fiche technique IXTA06N120P PDF

Téléchargez IXTA06N120P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTA06N120P - IXYS.

Feuilles de données
IXT(A,P)06N120P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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