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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXKH70N60C5
IXKH70N60C5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IXKH70N60C5 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXKH70N60C5
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXKH70N60C5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXKH70N60C5.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 2583

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IXKH70N60C5
IXYS - IXKH70N60C5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXKH70N60C5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AD  
Séries CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 44A, 10V  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc)  
Numéro de produit de base IXKH70  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXKH70N60C5

Attributs du produit IXKH70N60C5 IXKK85N60C IXKG25N80C IXKH47N60C
Modèle de produit IXKH70N60C5 IXKK85N60C IXKG25N80C IXKH47N60C
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA 4V @ 4mA 4V @ 2mA 4V @ 2mA
Package composant fournisseur TO-247AD TO-264AA ISO264™ TO-247AD
Package / Boîte TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 44A, 10V 36mOhm @ 55A, 10V 150mOhm @ 9A, 10V 70mOhm @ 30A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 800 V 600 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 650 nC @ 10 V 166 nC @ 10 V 650 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) - - 250W (Tc) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc) 85A (Tc) 25A (Tc) 47A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 100 V - - -
Numéro de produit de base IXKH70 IXKK85 IXKG25 IXKH47
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique IXKH70N60C5 PDF

Téléchargez IXKH70N60C5 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXKH70N60C5 - IXYS.

Feuilles de données
IXKH70N60C5.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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