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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXKH47N60C
IXKH47N60C Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IXKH47N60C - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXKH47N60C
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXKH47N60C
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXKH47N60C.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 1566

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IXKH47N60C
IXYS - IXKH47N60C Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXKH47N60C

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AD  
Séries CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 650 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 47A (Tc)  
Numéro de produit de base IXKH47  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXKH47N60C

Attributs du produit IXKH47N60C IXKG25N80C IXKR25N80C IXKR40N60C
Modèle de produit IXKH47N60C IXKG25N80C IXKR25N80C IXKR40N60C
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Séries CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 47A (Tc) 25A (Tc) 25A (Tc) 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 30A, 10V 150mOhm @ 9A, 10V 150mOhm @ 18A, 10V 70mOhm @ 25A, 10V
Numéro de produit de base IXKH47 IXKG25 IXKR25 IXKR40
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2mA 4V @ 2mA 4V @ 2mA 3.9V @ 3mA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 TO-247-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-247AD ISO264™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Tension drain-source (Vdss) 600 V 800 V 800 V 600 V
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) - 250W (Tc) - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 650 nC @ 10 V 166 nC @ 10 V 355 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V

Fiche technique IXKH47N60C PDF

Téléchargez IXKH47N60C PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXKH47N60C - IXYS.

Feuilles de données
IXKH47N60C.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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