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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTW80NF55-08
STW80NF55-08 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STW80NF55-08 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STW80NF55-08
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STW80NF55-08
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 80A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
STx80NF55-08(T4).pdf
État RoHS
En stock: 5220

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STW80NF55-08
STMicroelectronics - STW80NF55-08 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STW80NF55-08

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3850 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base STW80N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STW80NF55-08

Attributs du produit STW80NF55-08 STW8N120K5 STW80NE06-10 STW7NK90Z
Modèle de produit STW80NF55-08 STW8N120K5 STW80NE06-10 STW7NK90Z
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3850 pF @ 25 V 505 pF @ 100 V 7600 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247 TO-247-3 TO-247-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 13.7 nC @ 10 V 189 nC @ 10 V 60.5 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 6A (Tc) 80A (Tc) 5.8A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 55 V 1200 V 60 V 900 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA
Séries STripFET™ MDmesh™ K5 STripFET™ SuperMESH™
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 130W (Tc) 250W (Tc) 140W (Tc)
Numéro de produit de base STW80N STW8 STW80N STW7NK90
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V 2Ohm @ 2.5A, 10V 10mOhm @ 40A, 10V 2Ohm @ 2.9A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique STW80NF55-08 PDF

Téléchargez STW80NF55-08 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STW80NF55-08 - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STx80NF55-08(T4).pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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