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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSZ0910LSATMA1
BSZ0910LSATMA1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSZ0910LSATMA1 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
BSZ0910LSATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-BSZ0910LSATMA1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
BSZ0910LSATMA1.pdf
État RoHS
En stock: 120210

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSZ0910LSATMA1
Infineon Technologies - BSZ0910LSATMA1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - BSZ0910LSATMA1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TDSON-8 FL  
Séries OptiMOS™ 5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta), 37W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta), 40A (Tc)  
Numéro de produit de base BSZ0910  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies BSZ0910LSATMA1

Attributs du produit BSZ0910LSATMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ0911LSATMA1 BSZ097N04LSGATMA1
Modèle de produit BSZ0910LSATMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ0911LSATMA1 BSZ097N04LSGATMA1
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 30 V 100 V 30 V 40 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 15 V 2100 pF @ 50 V 670 pF @ 15 V 1900 pF @ 20 V
Séries OptiMOS™ 5 OptiMOS™ 5 OptiMOS™ 5 OptiMOS™
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur PG-TDSON-8 FL PG-TSDSON-8-FL PG-TDSON-8 FL PG-TSDSON-8
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.3V @ 36µA 2V @ 250µA 2V @ 14µA
Numéro de produit de base BSZ0910 BSZ096 BSZ0911 BSZ097
Fonction FET - Standard - -
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta), 37W (Tc) 69W (Tc) - 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 30A, 10V 9.6mOhm @ 20A, 10V 7mOhm @ 20A, 10V 9.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta), 40A (Tc) 40A (Tc) 12A (Ta), 40A (Tc) 12A (Ta), 40A (Tc)

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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