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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFP3N120
IXFP3N120 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFP3N120 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFP3N120
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFP3N120
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IXF(A,P)3N120.pdf
État RoHS
En stock: 6745

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFP3N120
IXYS - IXFP3N120 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFP3N120

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFP3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFP3N120

Attributs du produit IXFP3N120 IXFP22N60P3 IXFP230N075T2 IXFP20N50P3
Modèle de produit IXFP3N120 IXFP22N60P3 IXFP230N075T2 IXFP20N50P3
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base IXFP3 IXFP22 IXFP230 IXFP20
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™, TrenchT2™ HiPerFET™, Polar3™
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA 5V @ 1.5mA 4V @ 1mA 5V @ 1.5mA
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 178 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 500mA, 10V 360mOhm @ 11A, 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V 300mOhm @ 10A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc) 22A (Tc) 230A (Tc) 8A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 10500 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 600 V 75 V 500 V
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc) 500W (Tc) 480W (Tc) 380W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique IXFP3N120 PDF

Téléchargez IXFP3N120 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFP3N120 - IXYS.

Feuilles de données
IXF(A,P)3N120.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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