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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFP3N120
IXFP3N120 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IXFP3N120 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFP3N120
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFP3N120
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IXF(A,P)3N120.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 6745

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IXFP3N120
IXYS - IXFP3N120 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFP3N120

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFP3  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFP3N120

Attributs du produit IXFP3N120 IXFP4N85X IXFP6N120P IXFP34N65X2M
Modèle de produit IXFP3N120 IXFP4N85X IXFP6N120P IXFP34N65X2M
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base IXFP3 IXFP4N85 IXFP6N120 IXFP34
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220AB (IXFP) TO-220-3 TO-220 Isolated Tab
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Ultra X2
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA 5.5V @ 250µA 5V @ 1mA 5V @ 1.5mA
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 500mA, 10V 2.5Ohm @ 2A, 10V 2.4Ohm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 17A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc) 3.5A (Tc) 6A (Tc) 34A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V 247 pF @ 25 V 2830 pF @ 25 V 3230 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 850 V 1200 V 650 V
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc) 150W (Tc) 250W (Tc) 40W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique IXFP3N120 PDF

Téléchargez IXFP3N120 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFP3N120 - IXYS.

Feuilles de données
IXF(A,P)3N120.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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