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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFP12N65X2M
IXFP12N65X2M Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFP12N65X2M - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFP12N65X2M
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFP12N65X2M
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
IXFP12N65X2M Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 23234

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFP12N65X2M
IXYS - IXFP12N65X2M Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFP12N65X2M

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220 Isolated Tab  
Séries HiPerFET™, Ultra X2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1134 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFP12  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFP12N65X2M

Attributs du produit IXFP12N65X2M IXFP14N85X IXFP14N85XM IXFP10N60P
Modèle de produit IXFP12N65X2M IXFP14N85X IXFP14N85XM IXFP10N60P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-220 Isolated Tab TO-220AB (IXFP) TO-220 TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1134 pF @ 25 V 1043 pF @ 25 V 1043 pF @ 25 V 1610 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18.5 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc) 460W (Tc) 38W (Tc) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310mOhm @ 6A, 10V 550mOhm @ 500mA, 10V 550mOhm @ 7A, 10V 740mOhm @ 5A, 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc) 10A (Tc)
Fonction FET - - - -
Séries HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V 850 V 850 V 600 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5.5V @ 1mA 5.5V @ 1mA 5.5V @ 1mA
Numéro de produit de base IXFP12 IXFP14 IXFP14 IXFP10
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IXFP12N65X2M PDF

Téléchargez IXFP12N65X2M PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFP12N65X2M - IXYS.

Conception / spécification PCN
Multiple Devices Molding Compound 07/Sep/2020.pdf
Feuilles de données
IXFP12N65X2M Datasheet.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IXFP12N65X2M

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