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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFP16N50P
IXFP16N50P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFP16N50P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFP16N50P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFP16N50P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IXF(A,H,P)16N50P.pdf
État RoHS
En stock: 14949

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFP16N50P
IXYS - IXFP16N50P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFP16N50P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFP16  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFP16N50P

Attributs du produit IXFP16N50P IXFP20N50P3M IXFP18N60X IXFP130N10T
Modèle de produit IXFP16N50P IXFP20N50P3M IXFP18N60X IXFP130N10T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 104 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 1440 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V
Numéro de produit de base IXFP16 IXFP20 IXFP18 IXFP130
Séries HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Trench
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc) 8A (Tc) 18A (Tc) 130A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 58W (Tc) 320W (Tc) 360W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 600 V 100 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 8A, 10V 300mOhm @ 10A, 10V 230mOhm @ 9A, 10V 9.1mOhm @ 25A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA 5V @ 1.5mA 4.5V @ 1.5mA 4.5V @ 1mA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique IXFP16N50P PDF

Téléchargez IXFP16N50P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFP16N50P - IXYS.

Feuilles de données
IXF(A,H,P)16N50P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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