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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFN39N90
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFN39N90 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFN39N90
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFN39N90
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFN39N90.pdf
État RoHS
En stock: 871

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFN39N90
IXYS - IXFN39N90 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFN39N90

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 694W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 390 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 39A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFN39  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFN39N90

Attributs du produit IXFN39N90 IXFN38N100Q2 IXFN38N100P IXFN36N60
Modèle de produit IXFN39N90 IXFN38N100Q2 IXFN38N100P IXFN36N60
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base IXFN39 IXFN38 IXFN38 IXFN36
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V 7200 pF @ 25 V 24000 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 5V @ 8mA 6.5V @ 1mA 4.5V @ 8mA
Tension drain-source (Vdss) 900 V 1000 V 1000 V 600 V
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 390 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V 325 nC @ 10 V
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™
Dissipation de puissance (max) 694W (Tc) 890W (Tc) 1000W (Tc) 520W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 39A (Tc) 38A (Tc) 38A (Tc) 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 500mA, 10V 250mOhm @ 19A, 10V 210mOhm @ 19A, 10V 180mOhm @ 500mA, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube

Fiche technique IXFN39N90 PDF

Téléchargez IXFN39N90 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFN39N90 - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Feuilles de données
IXFN39N90.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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