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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFN44N100P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFN44N100P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFN44N100P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFN44N100P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFN44N100P.pdf
État RoHS
En stock: 924

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFN44N100P
IXYS - IXFN44N100P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFN44N100P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 22A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 890W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 19000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 305 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 37A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFN44  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFN44N100P

Attributs du produit IXFN44N100P IXFN44N50U2 IXFN44N50Q IXFN44N80
Modèle de produit IXFN44N100P IXFN44N50U2 IXFN44N50Q IXFN44N80
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 305 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 19000 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 10000 pF @ 25 V
Numéro de produit de base IXFN44 IXFN44 IXFN44 IXFN44
Dissipation de puissance (max) 890W (Tc) 520W (Tc) 500W (Tc) 700W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Séries HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 37A (Tc) 44A (Tc) 44A (Tc) 44A (Tc)
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA 4V @ 8mA 4V @ 4mA 4.5V @ 8mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 22A, 10V 120mOhm @ 500mA, 10V 120mOhm @ 500mA, 10V 165mOhm @ 500mA, 10V
Tension drain-source (Vdss) 1000 V 500 V 500 V 800 V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique IXFN44N100P PDF

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Feuilles de données
IXFN44N100P.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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