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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFN38N100Q2
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFN38N100Q2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFN38N100Q2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFN38N100Q2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXFN38N100Q2.pdf
État RoHS
En stock: 881

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFN38N100Q2
IXYS - IXFN38N100Q2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFN38N100Q2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries HiPerFET™, Q2 Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 19A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 890W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFN38  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFN38N100Q2

Attributs du produit IXFN38N100Q2 IXFN39N90 IXFN36N100 IXFN38N100P
Modèle de produit IXFN38N100Q2 IXFN39N90 IXFN36N100 IXFN38N100P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Tension drain-source (Vdss) 1000 V 900 V 1000 V 1000 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc) 39A (Tc) 36A (Tc) 38A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Numéro de produit de base IXFN38 IXFN39 IXFN36 IXFN38
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA 6.5V @ 1mA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 390 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7200 pF @ 25 V 9200 pF @ 25 V 9200 pF @ 25 V 24000 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 19A, 10V 220mOhm @ 500mA, 10V 240mOhm @ 500mA, 10V 210mOhm @ 19A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 890W (Tc) 694W (Tc) 700W (Tc) 1000W (Tc)

Fiche technique IXFN38N100Q2 PDF

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Feuilles de données
IXFN38N100Q2.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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