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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFK50N50
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFK50N50 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFK50N50
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFK50N50
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXF(N,K)55N50, 50N50.pdf
État RoHS
En stock: 2576

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFK50N50
IXYS - IXFK50N50 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFK50N50

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK)  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 560W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFK50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFK50N50

Attributs du produit IXFK50N50 IXFK60N55Q2 IXFK52N30Q IXFK64N60P
Modèle de produit IXFK50N50 IXFK60N55Q2 IXFK52N30Q IXFK64N60P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 4.5V @ 8mA 4V @ 4mA 5V @ 8mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V 7300 pF @ 25 V 5300 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ HiPerFET™, Polar
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 25A, 10V 88mOhm @ 30A, 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 96mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 60A (Tc) 52A (Tc) 64A (Tc)
Numéro de produit de base IXFK50 IXFK60 IXFK52 IXFK64
Tension drain-source (Vdss) 500 V 550 V 300 V 600 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 560W (Tc) 735W (Tc) 360W (Tc) 1040W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V

Fiche technique IXFK50N50 PDF

Téléchargez IXFK50N50 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFK50N50 - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Feuilles de données
IXF(N,K)55N50, 50N50.pdf

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Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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