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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFK48N55
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFK48N55 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFK48N55
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFK48N55
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 550V 48A TO264AA
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXF(K,X)48N55.pdf
En stock: 4280

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFK48N55
IXYS - IXFK48N55 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFK48N55

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK)  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 24A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 560W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 550 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 48A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFK48  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFK48N55

Attributs du produit IXFK48N55 IXFK48N50 IXFK55N50 IXFK44N80P
Modèle de produit IXFK48N55 IXFK48N50 IXFK55N50 IXFK44N80P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Dissipation de puissance (max) 560W (Tc) 500W (Tc) 625W (Tc) 1040W (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 4V @ 8mA 4.5V @ 8mA 5V @ 8mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8900 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 48A (Tc) 48A (Tc) 55A (Tc) 44A (Tc)
Numéro de produit de base IXFK48 IXFK48 IXFK55 IXFK44
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 24A, 10V 100mOhm @ 24A, 10V 90mOhm @ 27.5A, 10V 190mOhm @ 22A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 550 V 500 V 500 V 800 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 198 nC @ 10 V
Séries HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar

Fiche technique IXFK48N55 PDF

Téléchargez IXFK48N55 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFK48N55 - IXYS.

Feuilles de données
IXF(K,X)48N55.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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