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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFK48N50
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFK48N50 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFK48N50
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFK48N50
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 48A TO264AA
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXFx4xN50.pdf
État RoHS
En stock: 2385

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFK48N50
IXYS - IXFK48N50 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFK48N50

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK)  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 24A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 48A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFK48  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFK48N50

Attributs du produit IXFK48N50 IXFK60N25Q IXFK48N55 IXFK44N55Q
Modèle de produit IXFK48N50 IXFK60N25Q IXFK48N55 IXFK44N55Q
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Séries HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 48A (Tc) 60A (Tc) 48A (Tc) 44A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8400 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V 8900 pF @ 25 V 6400 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 4V @ 4mA 4.5V @ 8mA 4.5V @ 4mA
Numéro de produit de base IXFK48 IXFK60 IXFK48 IXFK44
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc) 360W (Tc) 560W (Tc) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 24A, 10V 47mOhm @ 500mA, 10V 110mOhm @ 24A, 10V 120mOhm @ 22A, 10V
Emballer Tube Tube Tube Box
Tension drain-source (Vdss) 500 V 250 V 550 V 550 V

Fiche technique IXFK48N50 PDF

Téléchargez IXFK48N50 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFK48N50 - IXYS.

Feuilles de données
IXFx4xN50.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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