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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFK230N20T
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFK230N20T - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFK230N20T
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFK230N20T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 230A TO264AA
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXFK,X230N20T Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 1798

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFK230N20T
IXYS - IXFK230N20T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFK230N20T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK)  
Séries HiPerFET™, Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 60A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1670W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 28000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 378 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 230A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFK230  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFK230N20T

Attributs du produit IXFK230N20T IXFK20N80Q IXFK180N10 IXFK21N100Q
Modèle de produit IXFK230N20T IXFK20N80Q IXFK180N10 IXFK21N100Q
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 60A, 10V 420mOhm @ 10A, 10V 8mOhm @ 90A, 10V 500mOhm @ 10.5A, 10V
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Tension drain-source (Vdss) 200 V 800 V 100 V 1000 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Température de fonctionnement - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base IXFK230 IXFK20 IXFK180 IXFK21
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 4V @ 8mA 5.5V @ 4mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries HiPerFET™, Trench HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 1670W (Tc) 360W (Tc) 560W (Tc) 500W (Tc)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 230A (Tc) 20A (Tc) 180A (Tc) 21A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 378 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 390 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 28000 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V 10900 pF @ 25 V 6900 pF @ 25 V

Fiche technique IXFK230N20T PDF

Téléchargez IXFK230N20T PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFK230N20T - IXYS.

Feuilles de données
IXFK,X230N20T Datasheet.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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