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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFH6N100Q
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFH6N100Q - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFH6N100Q
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFH6N100Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247AD
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXF(H,T)6N100Q.pdf
État RoHS
En stock: 5400

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFH6N100Q
IXYS - IXFH6N100Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFH6N100Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH)  
Séries HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFH6  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFH6N100Q

Attributs du produit IXFH6N100Q IXFH74N20P IXFH60N60X3 IXFH6N100
Modèle de produit IXFH6N100Q IXFH74N20P IXFH60N60X3 IXFH6N100
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 3A, 10V 34mOhm @ 37A, 10V 51mOhm @ 30A, 10V 2Ohm @ 500mA, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Ultra X3 HiPerFET™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 3450 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.5mA 5V @ 4mA 5V @ 4mA 4.5V @ 2.5mA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 1000 V 200 V 600 V 1000 V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Numéro de produit de base IXFH6 IXFH74 IXFH60 IXFH6
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc) 480W (Tc) 625W (Tc) 180W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc) 74A (Tc) 60A (Tc) 6A (Tc)
Emballer Tube Box Tube Tube
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247 TO-247AD (IXFH)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IXFH6N100Q PDF

Téléchargez IXFH6N100Q PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFH6N100Q - IXYS.

Feuilles de données
IXF(H,T)6N100Q.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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