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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFH60N65X2
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFH60N65X2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFH60N65X2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFH60N65X2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXFH60N65X2 Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 6559

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFH60N65X2
IXYS - IXFH60N65X2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFH60N65X2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH)  
Séries HiPerFET™, Ultra X2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 780W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6180 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFH60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFH60N65X2

Attributs du produit IXFH60N65X2 IXFH60N25Q IXFH60N60X3 IXFH6N100F
Modèle de produit IXFH60N65X2 IXFH60N25Q IXFH60N60X3 IXFH6N100F
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 780W (Tc) 360W (Tc) 625W (Tc) 180W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 650 V 250 V 600 V 1000 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA 4V @ 4mA 5V @ 4mA 5.5V @ 2.5mA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™ HiPerFET™, Ultra X3 HiPerFET™, F Class
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IXFH60 IXFH60 IXFH60 IXFH6
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH) TO-247AD (IXFH) TO-247 TO-247 (IXFH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 30A, 10V 47mOhm @ 500mA, 10V 51mOhm @ 30A, 10V 1.9Ohm @ 3A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc) 6A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6180 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V 3450 pF @ 25 V 1770 pF @ 25 V

Fiche technique IXFH60N65X2 PDF

Téléchargez IXFH60N65X2 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFH60N65X2 - IXYS.

Feuilles de données
IXFH60N65X2 Datasheet.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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