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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFH75N10Q
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFH75N10Q - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFH75N10Q
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFH75N10Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXF(H,T)75N10Q.pdf
En stock: 4910

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFH75N10Q
IXYS - IXFH75N10Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFH75N10Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH)  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 37.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFH75  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFH75N10Q

Attributs du produit IXFH75N10Q IXFH7N90Q IXFH6N100 IXFH70N20Q3
Modèle de produit IXFH75N10Q IXFH7N90Q IXFH6N100 IXFH70N20Q3
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 7A (Tc) 6A (Tc) 70A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 180W (Tc) 180W (Tc) 690W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 900 V 1000 V 200 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™ HiPerFET™, Q3 Class
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 37.5A, 10V 1.5Ohm @ 500mA, 10V 2Ohm @ 500mA, 10V 40mOhm @ 35A, 10V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Numéro de produit de base IXFH75 IXFH7 IXFH6 IXFH70
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 5V @ 2.5mA 4.5V @ 2.5mA 6.5V @ 4mA

Fiche technique IXFH75N10Q PDF

Téléchargez IXFH75N10Q PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFH75N10Q - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Feuilles de données
IXF(H,T)75N10Q.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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