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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFH60N25Q
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFH60N25Q - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFH60N25Q
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFH60N25Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 60A TO247AD
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXF(H,K,T)60N25Q.pdf
En stock: 4410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFH60N25Q
IXYS - IXFH60N25Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFH60N25Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH)  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFH60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFH60N25Q

Attributs du produit IXFH60N25Q IXFH60N65X2 IXFH52N30Q IXFH67N10
Modèle de produit IXFH60N25Q IXFH60N65X2 IXFH52N30Q IXFH67N10
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Numéro de produit de base IXFH60 IXFH60 IXFH52 IXFH67
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc) 780W (Tc) 360W (Tc) 300W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47mOhm @ 500mA, 10V 52mOhm @ 30A, 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 25mOhm @ 33.5A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V 6180 pF @ 25 V 5300 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Q Class HiPerFET™
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH) TO-247 (IXTH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 250 V 650 V 300 V 100 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 5.5V @ 4mA 4V @ 4mA 4V @ 4mA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 60A (Tc) 60A (Tc) 52A (Tc) 67A (Tc)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

Fiche technique IXFH60N25Q PDF

Téléchargez IXFH60N25Q PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFH60N25Q - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Feuilles de données
IXF(H,K,T)60N25Q.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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