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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFH42N20
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFH42N20 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFH42N20
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFH42N20
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 42A TO247AD
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXF(H,M,T)(42,50,58)N20.pdf
État RoHS
En stock: 5010

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFH42N20
IXYS - IXFH42N20 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFH42N20

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH)  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFH42  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFH42N20

Attributs du produit IXFH42N20 IXFH46N65X2 IXFH40N85X IXFH46N30T
Modèle de produit IXFH42N20 IXFH46N65X2 IXFH40N85X IXFH46N30T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 500mA, 10V 76mOhm @ 23A, 10V 145mOhm @ 500mA, 10V 80mOhm @ 23A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 5.5V @ 4mA 5.5V @ 4mA 5V @ 4mA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc) 46A (Tc) 40A (Tc) 46A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 660W (Tc) 860W (Tc) 460W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 25 V 4810 pF @ 25 V 3700 pF @ 25 V 4770 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 200 V 650 V 850 V 300 V
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Trench
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IXFH42 IXFH46 IXFH40 IXFH46
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH) TO-247 (IXTH) TO-247 TO-247 (IXTH)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IXFH42N20 PDF

Téléchargez IXFH42N20 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFH42N20 - IXYS.

Feuilles de données
IXF(H,M,T)(42,50,58)N20.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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