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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFH50N50P3
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFH50N50P3 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFH50N50P3
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFH50N50P3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXFx50N50P3.pdf
État RoHS
En stock: 6962

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFH50N50P3
IXYS - IXFH50N50P3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFH50N50P3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH)  
Séries HiPerFET™, Polar3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 960W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4335 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFH50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFH50N50P3

Attributs du produit IXFH50N50P3 IXFH46N65X2 IXFH52N30Q IXFH44N50P
Modèle de produit IXFH50N50P3 IXFH46N65X2 IXFH52N30Q IXFH44N50P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Dissipation de puissance (max) 960W (Tc) 660W (Tc) 360W (Tc) 658W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base IXFH50 IXFH46 IXFH52 IXFH44
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 5.5V @ 4mA 4V @ 4mA 5V @ 4mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 25A, 10V 76mOhm @ 23A, 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 140mOhm @ 22A, 10V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Séries HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Polar
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 46A (Tc) 52A (Tc) 44A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 85 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 500 V 650 V 300 V 500 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH) TO-247 (IXTH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4335 pF @ 25 V 4810 pF @ 25 V 5300 pF @ 25 V 5440 pF @ 25 V

Fiche technique IXFH50N50P3 PDF

Téléchargez IXFH50N50P3 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFH50N50P3 - IXYS.

Feuilles de données
IXFx50N50P3.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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