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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFH36N55Q
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFH36N55Q - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFH36N55Q
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFH36N55Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 550V 36A TO247AD
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXF(H,T)36N55Q.pdf
État RoHS
En stock: 5180

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFH36N55Q
IXYS - IXFH36N55Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFH36N55Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH)  
Séries HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 128 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 550 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFH36  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFH36N55Q

Attributs du produit IXFH36N55Q IXFH40N50Q2 IXFH30N60Q IXFH30N60P
Modèle de produit IXFH36N55Q IXFH40N50Q2 IXFH30N60Q IXFH30N60P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 128 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 125 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 500mA, 10V 160mOhm @ 500mA, 10V 230mOhm @ 500mA, 10V 240mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 5V @ 4mA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc) 40A (Tc) 30A (Tc) 30A (Tc)
Séries HiPerFET™, Q Class HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Polar
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc) 560W (Tc) 500W (Tc) 500W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base IXFH36 IXFH40 IXFH30 IXFH30
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V 4850 pF @ 25 V 4700 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 550 V 500 V 600 V 600 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

Fiche technique IXFH36N55Q PDF

Téléchargez IXFH36N55Q PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFH36N55Q - IXYS.

Feuilles de données
IXF(H,T)36N55Q.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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