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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFH32N50
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFH32N50 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFH32N50
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFH32N50
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 32A TO247AD
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXFH32N50.pdf
En stock: 5470

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFH32N50
IXYS - IXFH32N50 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFH32N50

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH)  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFH32  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFH32N50

Attributs du produit IXFH32N50 IXFH28N60P3 IXFH30N60P IXFH320N10T2
Modèle de produit IXFH32N50 IXFH28N60P3 IXFH30N60P IXFH320N10T2
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 5V @ 2.5mA 5V @ 4mA 4V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 25 V 3560 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V 26000 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 430 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, TrenchT2™
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Tc) 28A (Tc) 30A (Tc) 320A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Numéro de produit de base IXFH32 IXFH28 IXFH30 IXFH320
Tension drain-source (Vdss) 500 V 600 V 600 V 100 V
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 15A, 10V 260mOhm @ 14A, 10V 240mOhm @ 15A, 10V 3.5mOhm @ 100A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc) 695W (Tc) 500W (Tc) 1000W (Tc)

Fiche technique IXFH32N50 PDF

Téléchargez IXFH32N50 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFH32N50 - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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