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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFA22N65X2
IXFA22N65X2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFA22N65X2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFA22N65X2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFA22N65X2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IXF(A,H,P)22N65X2.pdf
État RoHS
En stock: 10551

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFA22N65X2
IXYS - IXFA22N65X2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFA22N65X2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 1.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263HV  
Séries HiPerFET™, Ultra X2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 390W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2310 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFA22  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFA22N65X2

Attributs du produit IXFA22N65X2 IXFA20N85XHV IXFA34N65X2 IXFA230N075T2
Modèle de produit IXFA22N65X2 IXFA20N85XHV IXFA34N65X2 IXFA230N075T2
Fabricant IXYS IXYS IXYS Corporation IXYS
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2310 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V 3330pF @ 25V 10500 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 390W (Tc) 540W (Tc) 540W (Tc) 480W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V 850 V 650V 75 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-263HV TO-263HV TO-263AA TO-263AA (IXFA)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 56nC @ 10V 178 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube - Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 11A, 10V 330mOhm @ 500mA, 10V 105 mOhm @ 17A, 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V
Numéro de produit de base IXFA22 IXFA20 - IXFA230
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc) 20A (Tc) 34A (Tc) 230A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 1.5mA 5.5V @ 2.5mA 5.5V @ 2.5mA 4V @ 1mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™ HiPerFET™, TrenchT2™
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fiche technique IXFA22N65X2 PDF

Téléchargez IXFA22N65X2 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFA22N65X2 - IXYS.

Feuilles de données
IXF(A,H,P)22N65X2.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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