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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFA14N60P
IXFA14N60P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFA14N60P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFA14N60P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFA14N60P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IXF(A,P,H)14N60P.pdf
État RoHS
En stock: 15014

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFA14N60P
IXYS - IXFA14N60P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFA14N60P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263AA (IXFA)  
Séries HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFA14  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFA14N60P

Attributs du produit IXFA14N60P IXFA110N15T2 IXFA10N80P IXFA20N85XHV
Modèle de produit IXFA14N60P IXFA110N15T2 IXFA10N80P IXFA20N85XHV
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 7A, 10V 13mOhm @ 55A, 10V 1.1Ohm @ 5A, 10V 330mOhm @ 500mA, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V 8600 pF @ 25 V 2050 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA 4.5V @ 250µA 5.5V @ 2.5mA 5.5V @ 2.5mA
Tension drain-source (Vdss) 600 V 150 V 800 V 850 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc) 110A (Tc) 10A (Tc) 20A (Tc)
Séries HiPerFET™, Polar HiPerFET™, TrenchT2™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Ultra X
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base IXFA14 IXFA110 IXFA10 IXFA20
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 480W (Tc) 300W (Tc) 540W (Tc)
Package composant fournisseur TO-263AA (IXFA) TO-263 (D2Pak) TO-263AA (IXFA) TO-263HV

Fiche technique IXFA14N60P PDF

Téléchargez IXFA14N60P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFA14N60P - IXYS.

Feuilles de données
IXF(A,P,H)14N60P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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