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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFA130N10T2
IXFA130N10T2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFA130N10T2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFA130N10T2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFA130N10T2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IXFx130N10T2.pdf
État RoHS
En stock: 13909

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFA130N10T2
IXYS - IXFA130N10T2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFA130N10T2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263AA (IXFA)  
Séries HiPerFET™, TrenchT2™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 65A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 130A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFA130  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFA130N10T2

Attributs du produit IXFA130N10T2 IXFA22N65X2 IXFA102N15T IXFA14N60P
Modèle de produit IXFA130N10T2 IXFA22N65X2 IXFA102N15T IXFA14N60P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Numéro de produit de base IXFA130 IXFA22 IXFA102 IXFA14
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 650 V 150 V 600 V
Séries HiPerFET™, TrenchT2™ HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Polar
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V 2310 pF @ 25 V 5220 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA 5.5V @ 1.5mA 5V @ 1mA 5.5V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 65A, 10V 160mOhm @ 11A, 10V 18mOhm @ 500mA, 10V 550mOhm @ 7A, 10V
Package composant fournisseur TO-263AA (IXFA) TO-263HV TO-263AA (IXFA) TO-263AA (IXFA)
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc) 390W (Tc) 455W (Tc) 300W (Tc)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 130A (Tc) 22A (Tc) 102A (Tc) 14A (Tc)

Fiche technique IXFA130N10T2 PDF

Téléchargez IXFA130N10T2 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFA130N10T2 - IXYS.

Feuilles de données
IXFx130N10T2.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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