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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxDMHC3025LSD-13
Diodes Incorporated
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

DMHC3025LSD-13 - Diodes Incorporated

Fabricant Modèle de produit
DMHC3025LSD-13
Fabricant
Diodes Incorporated
Allelco Modèle de produit
32D-DMHC3025LSD-13
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
DMHC3025LSD.pdf
État RoHS
En stock: 84320

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques DMHC3025LSD-13
Diodes Incorporated - DMHC3025LSD-13 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Diodes Incorporated - DMHC3025LSD-13

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Diodes Incorporated  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V  
Puissance - Max 1.5W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.7nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A, 4.2A  
Configuration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)  
Numéro de produit de base DMHC3025  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Diodes Incorporated DMHC3025LSD-13

Attributs du produit DMHC3025LSD-13 SQJ951EP-T1_GE3 FDG6320C STC5NF30V
Modèle de produit DMHC3025LSD-13 SQJ951EP-T1_GE3 FDG6320C STC5NF30V
Fabricant Diodes Incorporated Vishay Siliconix onsemi STMicroelectronics
Séries - Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® - STripFET™ II
Configuration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Package composant fournisseur 8-SO PowerPAK® SO-8 Dual SC-88 (SC-70-6) 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V 17mOhm @ 7.5A, 10V 4Ohm @ 220mA, 4.5V 31mOhm @ 2.5A, 4.5V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 15V 1680pF @ 10V 9.5pF @ 10V 460pF @ 15V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) PowerPAK® SO-8 Dual 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 25V 30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 600mV @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A, 4.2A 30A 220mA, 140mA 5A
Numéro de produit de base DMHC3025 SQJ951 FDG6320 STC5NF
Fonction FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Puissance - Max 1.5W 56W 300mW 1.5W
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.7nC @ 10V 50nC @ 10V 0.4nC @ 4.5V 11.5nC @ 4.5V

Fiche technique DMHC3025LSD-13 PDF

Téléchargez DMHC3025LSD-13 PDF DataSheets et Documentation Diodes Incorporated pour DMHC3025LSD-13 - Diodes Incorporated.

Informations environnementales
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Conception / spécification PCN
Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013.pdf
Feuilles de données
DMHC3025LSD.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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